要处理的数据和程序。RAM 存储器能够被CPU随机拜访，也就是说，CPU能够在不依照次序进行拜访的情况下，恣意地挑选存储器中的一个地址，并读取或写入存储器中的数据。

  RAM 存储器一般被划分为动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM），二者在价格、容量、速度、功耗等方面有所不同。

  DRAM 存储器是一种廉价而高密度的存储器，能够存储数GB的数据，但其读写速度较慢，需求常常改写（refresh）新颖的数据。SRAM 存储器则是一种高速而一般较少容量的存储器，能够敏捷读写存储其内容，但一般更贵重。

  在计算机中，CPU需求定时地从 RAM 存储器中读取数据和指令。跟着计算机使用程序的继续不断的开展，RAM 存储器的容量和速度逐渐的提高，以习惯计算机体系的需求。

  RAM（随机存取存储器）是一种计算机主存储器，依据内部结构的不同，可大致分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，它们的内部结构有所不同。

  1. SRAM结构：SRAM 存储器运用了一组存储器单元。每个存储器单元由 6 个晶体管构成，其间 4 个是用于两个互补反相器的电脑元件，别的 2 个是用于挑选单元的开关。SRAM 存储器具有实时呼应才干和快速读取速度，但由于它运用许多元件来完成简略的存储单元，所以它需求更多占用空间。

  2. DRAM结构：DRAM 存储器运用了一组存储器单元。每个存储器单元由一个电容器和一个晶体管构成。一个电容器只能存储一个数字位。DRAM 存储器具有高存储密度和简略的存储单元，但改写需求的拜访时刻增加了存储和拜访推迟。DRAM 存储器运用内部改写电路，以防止数据位丢失，但这也使得它的呼应时刻较长。

  总的来说，SRAM和DRAM结构的不同之处在于他们运用的存储单元不同。SRAM运用更多的晶体管完成一个单元，RAM需求较大的空间才干保存相同的数据，可是他的读取速度快，呼应时刻实时。DRAM运用电容器和晶体管构成一个存储单元，存储密度高，但改写推迟高，呼应时刻慢。

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